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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測(cè)定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測(cè)定。以常溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)，氧含量（原子數(shù)）測(cè)試范圍從1×1016 cm-3到硅中間隙氧的較大固溶度；以低溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)，氧含量（原子數(shù)）的測(cè)試范圍從0.5×1015 cm-3到硅中間隙氧的較大固溶度。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1557-2018
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法
英文名稱：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2018-09-17
實(shí)施日期：2019-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 1557-2006
起草單位：新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基綠能科技股份有限公司、內(nèi)蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半導(dǎo)體材料研究所、北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全
發(fā)布單位：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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