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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 26069-2022
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶退火片
英文名稱：Annealed monocrystalline silicon wafers
發(fā)布部門：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期：2022-03-09
實(shí)施日期：2022-10-01
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實(shí)施
替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 26069-2010
文件格式：PDF
文件頁(yè)數(shù)：9頁(yè)
起草單位：有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、浙江眾晶電子有限公司、洛陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司、開(kāi)化縣檢驗(yàn)檢測(cè)研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司、中環(huán)*半導(dǎo)體材料有限公司
起草人員：孫燕、寧永鐸、樓春蘭、陳鋒、黃笑容、王振國(guó)、張海英、潘金平、由佰玲
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：
本文件規(guī)定了硅單晶退火片（以下簡(jiǎn)稱退火片）的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本文件適用于通過(guò)退火工藝在硅單晶拋光片表面形成一定寬度潔凈區(qū)的硅片，產(chǎn)品用于技術(shù)代180 nm——22 nm的集成電路。
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