檢測報告圖片模板：
檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 24581-2022
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
英文名稱：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期：2022-03-09
實施日期：2022-10-01
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實施
替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 24581-2009
文件格式：PDF
文件頁數(shù)：9頁
起草單位：樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所、青海芯測科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司、國標(biāo)(北京)檢驗認(rèn)證有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江蘇秦烯新材料有限公司、義烏力邁新材料有限公司
起草人員：梁洪、趙曉斌、萬濤、薛心祿、魏東亮、王彬、邱艷梅、楊素心、李素青、李朋飛、趙培芝、王永濤、魏強(qiáng)、楚東旭、周延江、劉文明、劉紅、何建*、皮坤林
標(biāo)準(zhǔn)簡介：
本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的方法。
本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)鋁（Al)、銻（Sb)、砷（As)、硼（B)、鎵（Ga)、銦（In)和 磷（P)含量的測定，各元素的測定范圍（以原子數(shù)計)為1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請聯(lián)系我們刪除。
