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檢測執(zhí)行標準信息一覽：
標準簡介：本標準規(guī)定了用電容位移傳感法測定硅片表面局部平整度的方法。本標準適用于無接觸、非破壞性地測量干燥、潔凈的半導體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250μm及以上腐蝕、拋光及外延硅片。
標準號：GB/T 19922-2005
標準名稱：硅片局部平整度非接觸式標準測試方法
英文名稱：Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2005-09-19
實施日期：2006-04-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.01金屬材料試驗綜合
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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