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GB/T20228-2021砷化鎵單晶

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本文件規(guī)定了砷化鎵單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生長(zhǎng)的,用于制備光電子、微電子等器件的砷化鎵單晶,不適用于水平布里奇曼法(HB)生長(zhǎng)的砷化鎵單晶。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 20228-2021

標(biāo)準(zhǔn)名稱:砷化鎵單晶

英文名稱:Gallium arsenide single crystal

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2021-05-21

實(shí)施日期:2021-12-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB/T 20228-2006

起草單位:云南中科鑫圓晶體材料有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司、有研光電新材料有限責(zé)任公司、義烏力邁新材料有限公司

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位:國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.

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