檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 60333：1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器 測(cè)試程序》。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 13178-1991《金硅面壘型探測(cè)器》。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（簡(jiǎn)稱探測(cè)器）的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（不包括位置靈敏探測(cè)器）。鋰漂移金硅面壘型探測(cè)器也可參照?qǐng)?zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T 13178-1991的大部分內(nèi)容，對(duì)其的主要修改如下：——增加前言；——引用新的規(guī)范性文件；——產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A型，刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C型；——部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器的分類僅保留較小耗盡層深度為300μm一類，而主要性能增加“允許較大噪聲”。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 13178-2008
標(biāo)準(zhǔn)名稱：金硅面壘型探測(cè)器
英文名稱：Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2008-07-02
實(shí)施日期：2009-04-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：能源、核技術(shù)>>核儀器與核探測(cè)器>>F88核探測(cè)器
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：能源和熱傳導(dǎo)工程>>27.120核能工程
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 13178-1991
起草單位：中核（北京）核儀器廠
歸口單位：全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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