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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化鎵單晶及其晶片深能級(jí)EL２濃度紅外吸收測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵試樣深能級(jí)EL2濃度測(cè)定。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17170-1997
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法
英文名稱(chēng)：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1997-01-02
實(shí)施日期：1998-08-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：SJ 3249.4-1989;被GB/T 17170-2015代替
起草單位：電子工業(yè)部第四十六研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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