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GB/T17473.3-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中方阻的測(cè)定方法。本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)定。 本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T17473—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》(所有部分)的整合修訂,分為7個(gè)部分.本部分為GB/T17473—2008的第3部分。本部分代替GB/T17473.3—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 方阻測(cè)定》。本部分與GB/T17473.3—1998相比,主要有如下變動(dòng):———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 方阻測(cè)定;———增加低溫固化型漿料方阻的測(cè)定方法;———原標(biāo)準(zhǔn)的原理中,“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片,經(jīng)過(guò)燒結(jié)后,膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……”修改為:“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機(jī)樹(shù)脂基片上,經(jīng)過(guò)燒結(jié)或固化后,膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”;———測(cè)厚儀修改為:光切顯微測(cè)厚儀用于燒結(jié)型漿料:范圍為0mm~5 mm,精度為0.001 mm。千分尺用于固化型漿料:范圍為0mm~5mm,精度為0.001mm。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 17473.3-2008

標(biāo)準(zhǔn)名稱:微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 方阻測(cè)定

英文名稱:Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2008-03-31

實(shí)施日期:2008-09-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>有色金屬及其合金產(chǎn)品>>H68貴金屬及其合金

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):冶金>>有色金屬>>77.120.99其他有色金屬及其合金

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB/T 17473.3-1998

起草單位:貴研鉑業(yè)股份有限公司

歸口單位:全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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