檢測報(bào)告圖片模板：
檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用Ｘ射線技術(shù)測量硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向與參考面規(guī)定取向之間角度偏差的測量。硅片直徑為50～125mm，參考面長度為10～50mm。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)的投影與硅片表面法線之間夾角不小于3°的硅片的測量。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13388-1992
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法
英文名稱：Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1992-02-19
實(shí)施日期：1992-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：29.040.30
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 13388-2009代替
起草單位：北京有色金屬研究總院
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請聯(lián)系我們刪除。
