標準簡介：本標準規(guī)定了摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關(guān)系，該換算關(guān)系也適用于摻銻硅單晶，還可擴展至硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。 本標準適用于摻硼濃度1014 cm-3～1×1020cm-3，摻磷濃度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，摻砷濃度1019 cm-3～6×1020cm-3。對摻硼、摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴展到1012cm-3。 本標準也可用于在23℃下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算，但不包括對砷摻雜劑的載流子濃度換算，或任何其他載流子濃度的換算。

標準號：GB/T 13389-2014

標準名稱：摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

英文名稱：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2014-12-31

實施日期：2015-09-01

中國標準分類號（CCS）：>>>> ?>>>>80

國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料

替代以下標準：替代GB/T 13389-1992

起草單位：有研半導體材料股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責任公司、中國計量科學研究院、浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心、杭州海納半導體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司

歸口單位：全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)和全國

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.