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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本部分等同采用IEC 60747-4-1：2000《半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二極管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一，具體內(nèi)容包括：機(jī)械說(shuō)明；簡(jiǎn)要說(shuō)明；質(zhì)量評(píng)定類別；極限值；電特性；標(biāo)志；訂貨資料；試驗(yàn)條件和簡(jiǎn)要要求等。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 21039.1-2007
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二極管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
英文名稱：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2007-06-29
實(shí)施日期：2007-11-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：電子元器件與信息技術(shù)>>半導(dǎo)體分立器件>>L41半導(dǎo)體二極管
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電子學(xué)>>半導(dǎo)體器件>>31.080.30三極管
起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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