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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯(cuò)密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯(cuò)密度測量。當(dāng)堆垛層錯(cuò)密度超過15000cm-2或當(dāng)外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時(shí)，測量精度將有所降低。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14145-1993
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅外延層堆垛層錯(cuò)密度測定干涉相襯顯微鏡法
英文名稱：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1993-02-06
實(shí)施日期：1993-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H24金相檢驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：29.040.30
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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