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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本文件規(guī)定了電容?電壓法測(cè)試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無(wú)接觸電容?電壓法。本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測(cè)試，測(cè)試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測(cè)試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)試也可以參照本文件進(jìn)行，其中無(wú)接觸電容?電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)試。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14146-2021
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅外延層載流子濃度的測(cè)試 電容-電壓法
英文名稱：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2021-05-21
實(shí)施日期：2021-12-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 14146-2009
起草單位：南京國(guó)盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、中電晶華(天津)半導(dǎo)體材料有限公司、有研半導(dǎo)體材料有限公司、河北普興電子科技股份有限公司等
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全
發(fā)布單位：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.
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