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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本方法適用于長(zhǎng)方體和薄片銻化甸單晶樣品的電阻率和堆耳系數(shù)的測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB 11297.7-1989
標(biāo)準(zhǔn)名稱：銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法
英文名稱：Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：強(qiáng)制性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：1988-10-09
實(shí)施日期：1990-01-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：電子元器件與信息技術(shù)>>電子設(shè)備專用材料、零件、結(jié)構(gòu)件>>L90電子技術(shù)專用材料
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：29.040.30
起草單位：航天工業(yè)部8358研究所和機(jī)械電子工業(yè)部第十一研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：機(jī)械電子工業(yè)部
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