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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的較近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1552-1995
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
英文名稱：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1995-04-18
實(shí)施日期：1995-01-02
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.30金屬材料化學(xué)分析
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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