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標準簡介：本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的較近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。
標準號：GB/T 1552-1995
標準名稱：硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
英文名稱：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1995-04-18
實施日期：1995-01-02
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.30金屬材料化學分析
替代以下標準：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導體材料和設備標準化技術委員會
發(fā)布單位：國家技術監(jiān)督局
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