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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于低位錯(cuò)單晶硅中導(dǎo)電性雜質(zhì)硼和磷含量的同時(shí)測(cè)定。本標(biāo)準(zhǔn)用于檢測(cè)單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質(zhì)元素。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 24574-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法
英文名稱：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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