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標準簡介：本文件描述了用扇形磁場或四極桿式二次離子質譜儀對硅中硼進行深度剖析的方法，以及用觸針式表面輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法。本文件適用于硼原子濃度范圍1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅或非晶硅樣品，濺射弧坑深度在50 nm及以上。
標準號：GB/T 40109-2021
標準名稱：表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法
英文名稱：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：現行
發(fā)布日期：2021-05-21
實施日期：2021-12-01
中國標準分類號（CCS）：化工>>化工綜合>>G04基礎標準與通用方法
國際標準分類號（ICS）：化工技術>>分析化學>>71.040.40化學分析
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.
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