標準簡介：本標準規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本標準適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm和300mm、晶向<100>、電阻率(0.1～100)Ω·cm的Low-COP拋光片。

標準號：GB/T 41325-2022

標準名稱：集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片

英文名稱：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2022-03-09

實施日期：2022-10-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料

國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

起草單位：有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司、南京國盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責(zé)任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環(huán)半導(dǎo)體材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司

歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.