標準簡介：本標準規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。本標準適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測定,對于精密度要求不高的硅片,可以測量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測定總碳含量。本標準也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定,但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測定。

標準號：GB/T 1558-2009

標準名稱：硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法

英文名稱：Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2009-10-30

實施日期：2010-06-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合

國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料

替代以下標準：替代GB/T 1558-1997

起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、峨嵋半導體材料廠

歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.