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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 40566-2021
標(biāo)準(zhǔn)名稱：流化床法顆粒硅 氫含量的測(cè)定 脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法
適用范圍：本文件描述了用脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法測(cè)定顆粒硅中氫含量的方法。本文件適用于流化床法顆粒硅中氫含量的測(cè)定，其他硅材料參照使用。注： 本文件測(cè)定氫含量的范圍取決于所用氫分析儀的量程，大測(cè)定范圍為氫量0.000 08 mg～2.5 mg。以質(zhì)量分?jǐn)?shù)(%)表示的氫分析儀的測(cè)定范圍因稱取樣品量的不同而不同。例如，1 g樣品大測(cè)定范圍的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.000 008%～0.25%;0.15 g樣品大測(cè)定范圍的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.000 06%～1.66%。
英文名稱：Granular polysilicon produced by fluidized bed method—Determination of hydrogen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2021-10-11
實(shí)施日期：2022-05-01
出版語種：中文簡體
標(biāo)準(zhǔn)ICS號(hào)：29.045
中標(biāo)分類號(hào)：H82
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
提出部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
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