檢測報告圖片模板：
檢測執(zhí)行標準信息一覽：
標準編號：GB/T 14144-2009硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
標準簡介：本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。
英文名稱： Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
替代情況： 替代GB/T 14144-1993
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
采標情況： MOD SEMI MF 1188-1105
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
標準文檔查詢及下載
免責聲明：(更多標準請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標準庫為非營利性質，僅供各行人士相互交流、學習使用，使用標準請以正式出版的版本為準。
2.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡，不保證文件的準確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔任何責任。
3.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡，本站不承擔任何技術及版權問題，如有相關內容侵權，請聯(lián)系我們刪除。
