- N +

GB/T 11072-2009銻化銦多晶、單晶及切割片

檢測報告圖片模板:

檢測報告圖片

檢測執(zhí)行標準信息一覽:

標準編號:GB/T 11072-2009銻化銦多晶、單晶及切割片

標準狀態(tài):現(xiàn)行

標準簡介:本標準規(guī)定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產(chǎn)品分類、技術要求和試驗方法等。本標準適用于區(qū)熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測器和磁敏元件等用的銻化銦多晶、單晶及切割片。

英文名稱: Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

替代情況: 替代GB/T 11072-1989

中標分類: 冶金>>半金屬與半導體材料>>H83化合物半導體材料

ICS分類: 電氣工程>>29.045半導體材料

發(fā)布部門: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會

發(fā)布日期: 2009-10-30

實施日期: 2010-06-01

*發(fā)日期: 1989-03-31

提出單位: 全國半導體設備和材料標準化技術委員會

標準文檔查詢及下載

免責聲明:(更多標準請先聯(lián)系客服查詢!)

1.本站標準庫為非營利性質,僅供各行人士相互交流、學習使用,使用標準請以正式出版的版本為準。

2.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡,不保證文件的準確性和完整性,如因使用文件造成損失,本站不承擔任何責任。

3.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡,本站不承擔任何技術及版權問題,如有相關內(nèi)容侵權,請聯(lián)系我們刪除。

返回列表
上一篇:GB/T 13387-2009硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法
下一篇:GB/T 6624-2009硅拋光片表面質量目測檢驗方法