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標準編號：GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測量方法
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
標準簡介：本標準規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。本標準適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測定,對于精密度要求不高的硅片,可以測量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測定總碳含量。本標準也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定,但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測定。
英文名稱： Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
替代情況： 替代GB/T 1558-1997
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
采標情況： MOD SEMI MF 1391-0704
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1979-05-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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