參考答案：

半導(dǎo)體材料檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目？測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有哪些？

檢測(cè)項(xiàng)目：

電阻率(電阻系數(shù))、基體金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)、工業(yè)硅中鐵、鋁、鈣含量、碳化硅單晶拋光片微管密度、碳化硅單晶晶型、表面金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)、熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)、選區(qū)電子衍射、表面粗糙度、平整度、結(jié)晶質(zhì)量、方塊電阻、遷移率和載流子濃度、外延片發(fā)光波長(zhǎng)、表面缺陷、外延層厚度、外延層摻雜濃度

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB/T 32278-2015 碳化硅單晶平整度測(cè)試方法 GB/T 32278-2015

2、GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

3、SEMIPV49-0613 基體金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)

4、GB/T 1551-2009 硅單品電阻率測(cè)定方法

5、GB/T 14634.2-2010 熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)

6、GB/T 30656-2014 碳化硅單晶拋光片 GB/T 30656-2014

7、GB/T 18907-2013 微束分析 分析電子顯微術(shù) 透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法/

8、GB/T 29849-2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

9、GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法

10、GB/T 14634.1-2010 熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)

11、SEMI PV49-0613 多晶硅基體金屬雜質(zhì)分析電感耦合等離子體質(zhì)譜法

12、GB/T 5838.3-2015 熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)

13、GB/T24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

14、SJ 21535-2018 電力電子器件用碳化硅外延片規(guī)范 SJ21535-2018

15、GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法

16、SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化鎵外延片規(guī)范 SJ 21534-2018

17、GB/T 30854-2014 LED發(fā)光用氮化鎵基外延片 GB/T 30854-2014

18、GB/T 23595.1-2009 熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)

19、GB/T 14849.4-2014 工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第4部分:電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測(cè)定元素含量

20、GB/T 23595.3-2009 熒光粉測(cè)定(發(fā)射峰值波長(zhǎng)、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對(duì)亮度)

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