參考答案：

半導體分立器件檢測報告如何辦理？測試哪些項目？測試標準有哪些？

檢測項目：

密封、溫度循環(huán)、粒子碰撞噪聲檢測試驗、老煉（二*管、整流管、穩(wěn)壓管）、老煉（晶體管）、高溫、老煉、內(nèi)部目檢（半導體二*管）、封帽前目檢(功率金屬氧化物半導體場效應晶體管)、封帽前目檢、微波分立和多芯片晶體管、開帽內(nèi)部設計目檢、恒定加速度、掃描電子顯微鏡檢查、晶體管內(nèi)部目檢（封帽前）、溫度沖擊試驗、老煉二*管(整流管和穩(wěn)壓管、非透明玻璃封、雙管腳、非空腔、軸向引線二*管外觀目檢、高溫壽命（非工作）、部分參數(shù)、溫度循環(huán)（空氣-空氣）、老煉（二*管、整流管和穩(wěn)壓管）、高溫壽命、X射線檢查、內(nèi)部目檢、剪切強度、外觀、外部目檢、引出端強度、溫度循環(huán)（空氣-空氣)、粒子碰撞噪聲檢測、鍵合強度、顆粒碰撞噪聲檢測、X射線照相檢驗、老煉(二*管、整流管和穩(wěn)壓管)、老煉和壽命試驗（功率場效應晶體管和絕緣柵雙*晶體管、耐濕、芯片目檢（半導體二*管）、芯片粘附強度、低氣壓、沖擊、振動、濕熱、鹽氣、鹽霧、穩(wěn)態(tài)工作壽命、擊穿電壓、反向漏電流、反向電流、發(fā)射*-集電*擊穿電壓、可焊性試驗、外觀檢查和尺寸檢查、峰值脈沖電流、工頻電流沖擊試驗、截止電壓、抗靜電試驗、振動試驗、時間特性試驗、*大鉗位電壓、正向壓降、電容量測試、電流傳輸比、鹽霧腐蝕試驗、結(jié)電容、絕緣電阻、絕緣耐壓、耐焊接熱試驗、集電*-發(fā)射*擊穿電壓、集電*-發(fā)射*飽和電壓、集電*暗電流、高溫反偏試驗、高溫操作試驗、高溫貯存試驗、高溫高濕試驗、密封-粗檢漏、密封-細檢漏、低氣壓試驗、溫度循環(huán)(空氣-空氣)試驗、鹽霧(腐蝕)試驗、絕緣電阻測試、耐濕試驗、外觀及機械檢驗、密封(氦質(zhì)譜檢漏)、密封（氟油檢漏）、掃頻振動、熱沖擊、老煉和壽命試驗（功率場效應晶體管或絕緣柵雙*晶體管（IGBT））、內(nèi)部水汽含量、可焊性、工作電壓

檢測標準：

1、Q/GDW 11179.6-2014 電能表用元器件技術規(guī)范 第6部分：瞬變二*管 6.2.3

2、GJB?128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法1071

3、Q/GDW 11179.4-2014 電能表用元器件技術規(guī)范 第4部分：光電耦合器 6.2.2

4、GJB4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析方法 工作項目1000

5、GJB128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法 1038

6、GJB 128A-97 半導體分立器件試驗方法 方法1051

7、GJB 128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法1031

8、GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 方法107

9、GJB360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 305

10、MIL-STD-750E 半導體分立器件試驗方法 方法4021

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