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硅片檢測

檢測報告圖片

檢測報告圖片

硅片檢測報告測試項目有哪些?檢測標準方法是什么?檢測費用多少呢?檢測報告有效期多久?下面百小檢為您解答。

檢測報告有效期

一般檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。常規(guī)來說只要測試沒更新,測試不變檢測報告一直有效。如果是用于過電商平臺,一般他們只認可一年內的。所以還要看平臺或買家的要求。

檢測范圍

硅片

檢測項目

色差,厚度,機械強度,表面質量檢測,晶圓檢測,壽命評估等。

國標參考

GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻檢測方法 非接觸渦流法

GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

GB/T 6618-2009硅片厚度和總厚度變化檢測方法

GB/T 6619-2009硅片彎曲度檢測方法

GB/T 6620-2009硅片翹曲度非接觸式檢測方法

GB/T 6621-2009硅片表面平整度檢測方法

GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T 12965-2018硅單晶切割片和研磨片

GB/T 13388-2009硅片參考面結晶學取向X射線檢測方法

GB/T 14140-2009硅片直徑測量方法

行標參考

JC/T 2065-2011太陽能電池硅片用石英舟

JC/T 2066-2011太陽能電池硅片用石英玻璃擴散管

SJ/T 11552-2015以布魯斯特角入射P偏振輻射紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量

SJ/T 11627-2016太陽能電池用硅片電阻率在線檢測方法

SJ/T 11628-2016太陽能電池用硅片尺寸及電學表征在線檢測方法

SJ/T 11629-2016太陽能電池用硅片和電池片的在線光致發(fā)光分析方法

SJ/T 11630-2016太陽能電池用硅片幾何尺寸檢測方法

SJ/T 11631-2016太陽能電池用硅片外觀缺陷檢測方法

SJ/T 11632-2016太陽能電池用硅片微裂紋缺陷的檢測方法

SJ 20636-1997IC用大直徑薄硅片的氧、碳含量微區(qū)試驗方法

國際標準參考

BS ISO 14706-2000表面化學分析 用全反射X射線熒光(TXRF)分光術測定硅片的表面基本污染

BS ISO 14706-2000(R2007)表面化學分析 用全反射X射線熒光(TXRF)分光術測定硅片的表面基本污染

DIN 50441-4-1999半導體工藝用材料的檢驗.半導體圓片幾何尺寸的測量.第4部分:硅片尺寸,直徑、偏差、平面直徑、平面長度、平面滌度

DIN 50441-5-2001半導體技術材料的檢驗.硅片幾何尺寸的測定.第5部分:形狀和平整度偏差術語

ISO 17331 AMD 1-2010表面化學分析 從硅片加工基準材料的表面上收集元素的化學方法及其通過全反射X射線熒光光譜(TXRF)的測定

ISO 17331-2004表面化學分析 從硅片加工基準材料的表面上收集元素和化學方法及其通過總反射X射線熒光(TXRF)分光光度法的測定

ISO 17331-2004/Amd 1-2010表面化學分析 從硅片加工基準材料的表面上收集元素的化學方法及其通過全反射X射線熒光光譜(TXRF)的測定

JIS H0602-1995硅單晶及硅片電阻率測定方法-四探針法

JIS H0613-1978硅片及磨光硅片的外觀檢查

JIS H0614-1996鏡面硅片外觀檢查

檢測費用價格

免費初檢。因測試項目以及實驗復雜程度不同,請聯(lián)系我們確定后進行報價。

檢測時間周期

一般3-10天出報告,有的項目1天出報告,具體根據(jù)硅片檢測項目而定。

檢測流程步驟

檢測流程步驟

1、電話溝通、確認需求;

2、推薦方案、確認報價;

3、郵寄樣品、安排檢測;

4、進度跟蹤、結果反饋;

5、出具報告、售后服務;

6、如需加急、優(yōu)先處理;

百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質的檢測機構遍布全國,可為您提供硅片檢測服務,實驗室就近分配。具體請咨詢在線客服。

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