檢測(cè)報(bào)告圖片

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

GJB 548B-2005

芯片失效分析方法：

01.OM顯微鏡觀測(cè)，外觀分析

02.C-SAM/SAT（超聲波掃描顯微鏡）

（1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物。

（2）內(nèi)部裂紋。

（3）分層缺陷。

（4）空洞，氣泡，空隙等。

03.無(wú)損檢測(cè)，X——Ray檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后*先使用的非破壞性分析手段），其中有2DX-Ray和3DX-Ray。

04.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸）。

05.取die，開封使用激光開封機(jī)和自動(dòng)酸開封機(jī)將被檢樣品(不適用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)暴露。

06.OBIRCH/EMMI（微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試）/Thermal熱點(diǎn)偵測(cè)（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發(fā)熱點(diǎn)，LC要借助探針臺(tái)，示波器）

07.切割制樣：使用切割制樣模塊將小樣品進(jìn)行固定，以方便后續(xù)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行。

08.去層：使用等離子刻蝕機(jī)(RIE)去除芯片內(nèi)部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結(jié)構(gòu)，可利用研磨機(jī)進(jìn)行研磨去層。

09.FIB做一些電路修改，切點(diǎn)觀察。

10.Probe Station探針臺(tái)/Probing Test探針測(cè)試。

11.ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測(cè)試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進(jìn)行這兩項(xiàng)可靠度測(cè)試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗(yàn)）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。

除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM，二次離子質(zhì)譜SIMS，飛行時(shí)間質(zhì)譜TOF-SIMS，透射電鏡TEM，場(chǎng)發(fā)射電鏡，場(chǎng)發(fā)射掃描俄歇探針，X光電子能譜XPS，L-I-V測(cè)試系統(tǒng)，能量損失X光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過(guò)這些項(xiàng)目不是很常用。

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般芯片失效分析檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間，不會(huì)標(biāo)注有效期。

檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格

需要根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目、樣品數(shù)量及檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)而定，請(qǐng)聯(lián)系我們確定后報(bào)價(jià)。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)機(jī)構(gòu)平臺(tái)

百檢匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，檢測(cè)領(lǐng)域全行業(yè)覆蓋，為您提供芯片失效分析檢測(cè)服務(wù)。具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。