單向可控硅檢測報告如何辦理？測試哪些項目呢？檢測費用價格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)單向可控硅檢測標準或者根據(jù)您的需求設(shè)計檢測方案。做檢測，上百檢！我們只做真實檢測。

檢測周期

一般3-15個工作日，可加急。

檢測方式

可寄樣檢測、目測檢測、見證試驗、現(xiàn)場檢測等。

檢測費用

具體根據(jù)單向可控硅檢測檢測數(shù)量和項目而定。詳情請咨詢在線客服。

檢測產(chǎn)品

0單向可控硅簡介

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個PN結(jié)的二*管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂?電流控制；與具有兩個PN結(jié)的三*管相比，差別在于可控硅對控制*電流沒有放大作用?？煽毓鑼?dǎo)通條件：一是可控硅陽*與陰*間必須加正向電壓，二是控制*也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制*電壓或去掉控制*電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽*至陰*之間的正向電壓，使陽*電流小于較小維持電流以下。

1單向可控硅結(jié)構(gòu)控制

單向可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由較外層的 P 層、N 層引出兩個電*――陽 * A 和陰* K，由中間的 P 層引出控制* G。電路符號好像為一只二*管，但好多一個引 出電*――控制*或觸發(fā)* G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。

從控制原理上可等效為一只 PNP 三*管和一只 NPN 三*管的連接電路， 兩管的基*電 流和集電*電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基*電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓鑼?dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)。控制信號 UGK 的作用僅僅是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制信號便失去控制 作用。

單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個條件：

1） A、K 之間加正向電壓；

2） G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號，無論是直流或脈沖信號。

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個關(guān)斷條件：

1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；

2） 使 A、K 之間電壓反向。

可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發(fā)信號，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過零點到 來，因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降，很難有統(tǒng)一的標準?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三*管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V。

2單向可控硅對比

雙向可控硅

雙向可控硅具有兩個方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電*的半導(dǎo)體器件。由于主電*的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出），所以它的電*不像單向可控硅那樣分別叫陽*和陰*，而是把與控制*相近的叫做*電*T1，另一個叫做第二電*T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向

單向可控硅的工作原理圖

導(dǎo)通結(jié)束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機調(diào)速和換向等電路。

二者比較

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電*。單向可控硅有陰*（K）、陽*（A）、控制*（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽*與另一只陰*相關(guān)連，其引出端稱T1*，其中一只單向硅陰*與另一只陽*相連，其引出端稱T2*，剩下則為控制*（G）。

單、雙向可控硅的判別

先任測兩個*，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A*（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G*（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K*，黑筆接的為G*，剩下即為A*。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G*，黑筆所接為T1*，余下是T2*。

性能的差別

將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K*，黑筆同時接通G、A*，在保持黑筆不脫離A*狀態(tài)下斷開G*，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A*再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。

對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1*，黑筆同時接G、T2*，在保證黑筆不脫離T2*的前提下斷開G*，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。

若保持接通A*或T2*時斷開G*，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞^[2]。

3單向可控硅引腳區(qū)分

對可控硅的引腳區(qū)分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽*，陰*引線比控制*引線長。從外形無法判斷的可控硅，可用萬用表R×100或R×1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時，黑表筆所接的是控制*G，紅表筆所接的是陰*K，余下的一只管腳為陽*A。

4單向可控硅性能檢測

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個方面進行。*是三個PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當陰*和陽*間電壓反向連接時能夠阻斷，不導(dǎo)通；第三是當控制*開路時，陽*和陰*間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通；第四是給控制*加上正向電流，給陰*和陽*加正向電壓時，可控硅應(yīng)當導(dǎo)通，把控制*電流去掉，仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。

用萬用表的歐姆擋測量可控硅的*間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰*和陽*之間的正反向電阻（控制*不接電壓），此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k擋測陽*和控制*之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。

用R×1k或R×100擋，測控制*和陰*之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制*和陰*之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽*，紅表筆仍接陰*，此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰*不動，黑表筆在不脫開陽*的同時用表筆尖去瞬間短接控制*，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽*接黑表筆，陰*接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

5單向可控硅參考資料

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3.陳文青. 單向可控硅在雜物電梯運行控制中的應(yīng)用[J]. 制造業(yè)自動化, 1992(1):45-47.

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檢測流程步驟

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