雙向可控硅檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)雙向可控硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。做檢測(cè)，上百檢！我們只做真實(shí)檢測(cè)。

檢測(cè)周期

一般3-15個(gè)工作日，可加急。

檢測(cè)方式

可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。

檢測(cè)費(fèi)用

具體根據(jù)雙向可控硅檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。

檢測(cè)產(chǎn)品

0雙向可控硅簡(jiǎn)介

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反*性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。

1雙向可控硅產(chǎn)品命名

雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取前三個(gè)字母)

交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)

以上兩組名詞組合成“TRIAC”

中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。

三端雙向可控硅

由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。

雙　向：Bi-directional(取*個(gè)字母)

控　制：Controlled(取*個(gè)字母)

整流器：Rectifier(取*個(gè)字母)

再由這三組英文名詞的*字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

雙　向：Bi-directional(取*個(gè)字母)

三　端：Triode(取*個(gè)字母)

由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。

代表型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；

Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。

而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào)，如：

三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；

四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；

ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)較后一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號(hào)如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，

型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；

PHILIPS公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明

一般分為較小值/典型值/較大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。

2雙向可控硅特點(diǎn)及應(yīng)用

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電*T1和T2， 一個(gè)門*G， 門*使器件在主電*的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門*加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。

·耐壓級(jí)別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。 選用時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。

·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。

·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的較小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。

·電壓上升率的抵制： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容。

3雙向可控硅安裝

對(duì)負(fù)載小，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅， 可在自由空間工作。 但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下，鉚接不是一種推薦的方法。

夾子壓接：是推薦的方法，熱阻較小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） 和絕緣封裝（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）。注意，sot78 就是to220ab。

螺栓固定：sot78 組件帶有m3 成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量。

安裝過程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)*先機(jī)械固定，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。

4雙向可控硅參數(shù)符號(hào)

IT(AV)--通態(tài)平均電流

VRRM--反向反復(fù)峰值電壓

IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流

ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不反復(fù)浪涌電流

VTM--通態(tài)峰值電壓

IGT--門*觸發(fā)電流

VGT--門*觸發(fā)電壓

IH--維持電流

dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率

di/dt--通態(tài)電流臨界上升率

Rthjc--結(jié)殼熱阻

VISO--模塊絕緣電壓

Tjm--額定結(jié)溫

VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IF(AV)--正向平均電流

5雙向可控硅元件簡(jiǎn)介

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似

雙向可控硅

于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅較初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅

”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)*快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

6雙向可控硅產(chǎn)品分類

可控硅有多種分類方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門*關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧?/p>（二）按引腳和*性分類：可控硅按其引腳和*性可分為二*可控硅、三*可控硅和四*可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

(五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

7雙向可控硅封裝形式

常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

8雙向可控硅構(gòu)造原理

盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可

雙向可控硅

控硅大多采用RD91型封裝。

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電*分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門*G以外的兩個(gè)電*統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽(yáng)*或陰*。其特點(diǎn)是，當(dāng)G*和T2*相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)*，T1是陰*。反之，當(dāng)G*和T2*相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽(yáng)*，T2為陰*。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?/p>

9雙向可控硅產(chǎn)品特性

雙向可控硅*陽(yáng)*A1與第二陽(yáng)*A2間，無論所加電壓*性是正向還是反向，只要控制*G和*陽(yáng)*A1間加有正負(fù)*性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)*陽(yáng)*A1、第二陽(yáng)*A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓*性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。

10雙向可控硅觸發(fā)電路

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了

雙向可控硅

一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制*不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制*與各自的陰*之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。

SCR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A/1000V)，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。

11雙向可控硅工作原理

1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。

當(dāng)陽(yáng)*A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制*G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電*電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電*直接與BG1的基*相連，所以ib1=ic。

2.此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電*電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基*，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。

由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制*G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，條件如下：

A、從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽(yáng)*電位高于是陰*電位，2、控制*有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。

B、維持導(dǎo)通1、陽(yáng)*電位高于陰*電位，2、陽(yáng)*電流大于維持電流，兩者缺一不可。

C、從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽(yáng)*電位低于陰*電位，2、陽(yáng)*電流小于維持電流，任一條件即可。

觸發(fā)導(dǎo)通

在控制*G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。

12雙向可控硅產(chǎn)品判別

雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)*與另一只陰*相邊連，其引出端稱T1*，其中一只單向硅陰*與另一只陽(yáng)*相連，其引出端稱T2*，剩下則為控制*（G）。

1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)*，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）

，可能是A、K或G、A*（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G*（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K*，黑筆接的為G*，剩下即為A*。若正、反向測(cè)指示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G*，黑筆所接為T1*，余下是T2*。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K*，黑筆同時(shí)接通G、A*，在保持黑筆不脫離A*狀態(tài)下斷開G*，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A*再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。

對(duì)于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1*，黑筆同時(shí)接G、T2*，在保證黑筆不脫離T2*的前提下斷開G*，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào)，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A*或T2*時(shí)斷開G*，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對(duì)于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

13雙向可控硅測(cè)量方法

帶3伏電池的指針萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為*陽(yáng)*A1和控制*G，另一空腳即為第二陽(yáng)*A2。確定A1、G*后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G*間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為*陽(yáng)*A1，紅表筆所接引腳為控制*G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)*A2，紅表筆接*陽(yáng)*A1，此時(shí)萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G*瞬間短接，給G*加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)*A2，黑表筆接*陽(yáng)*A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G*間再次瞬間短接，給G*加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G*間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳*性判斷正確。

檢測(cè)較大功率可控硅時(shí)，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。

參數(shù)符號(hào)

IT(AV)--通態(tài)平均電流	VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓
VRRM--反向重復(fù)峰值電壓	IRRM--反向重復(fù)峰值電流
IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流	IF(AV)--正向平均電流
VTM--通態(tài)峰值電壓	Tjm--額定結(jié)溫
VGT--門*觸發(fā)電壓	VISO--模塊絕緣電壓
IH--維持電流	Rthjc--結(jié)殼熱阻
IGT--門*觸發(fā)電流	di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流	dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率

14雙向可控硅伏安特性

15雙向可控硅檢測(cè)方法

DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器

利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電*的方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。

判定T2*

G*與T1*靠近，距T2*較遠(yuǎn)。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測(cè)任意兩腳之間的電阻時(shí)，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測(cè)出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2*。另外，采用TO—220封裝的雙向可控硅，T2*通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2*。

區(qū)分G*和T1*

(1)找出T2*之后，*先假定剩下兩腳中某一腳為Tl*，另一腳為G*。

(2)把黑表筆接T1*，紅表筆接T2*，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G*加上負(fù)觸發(fā)信號(hào)，電阻值應(yīng)為十歐左右，證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門1一T2。再將紅表筆尖與G*脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)。

16雙向可控硅黃金規(guī)則

規(guī)則1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門*電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的較低溫度考慮。

規(guī)則2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。

規(guī)則3.設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）。規(guī)則4.為減少雜波吸收，門*連線長(zhǎng)度降至較低。返回線直接連至MT1（或陰*）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門*和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門*間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規(guī)則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

規(guī)則6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

規(guī)則7.選用好的門*觸發(fā)電路，避開3象限工況，可以較大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上較好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無鐵芯電感，或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

規(guī)則9.器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

規(guī)則10.為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應(yīng)于可能的較高環(huán)境溫度。

17雙向可控硅典型應(yīng)用

雙向晶閘管可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交

接近開關(guān)電路

流開關(guān)、路燈自動(dòng)開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和

固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門*限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí)

JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時(shí)JAG吸合，使雙向晶閘管導(dǎo)通，將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時(shí)間僅幾微秒，所以開關(guān)的壽命很長(zhǎng)。

現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)相當(dāng)廣闊，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電器及

家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應(yīng)用。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對(duì)來說，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng)，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn)。隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品的熱銷，更為可控硅提供了銷售空間。 推出兩款可優(yōu)化消費(fèi)電子產(chǎn)品性能的新型標(biāo)準(zhǔn)三端雙向可控硅開關(guān)元件，這兩種三端雙向可控硅開關(guān)采用先進(jìn)的平面硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有很高的可靠性，加上在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗較多僅為1.5V，因而可達(dá)致高效率。這兩種產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括：洗衣機(jī)、吸塵器、調(diào)光器、遙控開關(guān)和交流電機(jī)控制設(shè)備。

過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器(AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI(一般為高電平)、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動(dòng)功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng)，吸合、釋放時(shí)間短、壽命長(zhǎng)，能與TTLCMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。

雙向可控硅可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動(dòng)開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。

18雙向可控硅產(chǎn)品區(qū)別

可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電*。單向可控硅有陰*（K）、陽(yáng)*（A）、控制*（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)*與另一只陰*相邊連，其引出端稱T1*，其中一只單向硅陰*與另一只陽(yáng)*相連，其引出端稱T2*，剩下則為控制*（G）。

單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二*管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂?電流控制；與具有兩個(gè)PN結(jié)的三*管相比，差別在于可控硅對(duì)控制*電流沒有放大作用。

雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電*的半導(dǎo)體器件。由于主電*的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出），所以它的電*不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)*和陰*，而是把與控制*相近的叫做*電*A1，另一個(gè)叫做第二電*A2。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。

19雙向可控硅注意事項(xiàng)

交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。

1：靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩*為陰陽(yáng)*，而是稱

雙向可控硅

作T1和T2*，G為控制*，其控制*上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制*導(dǎo)通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門*電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度較低，為了保證觸發(fā)同時(shí)又要盡量限制門*電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。

2：可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制*將不起作用；(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5～2倍來??；(3)為保證控制*可靠觸發(fā)，加到控制*的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。

3：控制大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的避免

可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率*大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生*大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。

3.1：為防止或減小噪聲，對(duì)于移相控制式交流調(diào)壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二*管阻尼電路及其它電路。

3.2：電感電容濾波電路，由電感電容構(gòu)成諧振回路，其低通截止頻率為f=1/2π

雙向可控硅

Ic，一般取數(shù)十千赫低頻率。

3.3：雙向二*管阻尼電路。由于二*管是反向串聯(lián)的，所以它對(duì)輸入信號(hào)*性不敏感。當(dāng)負(fù)載被電源激勵(lì)時(shí)，抑制電路對(duì)負(fù)載無影響。當(dāng)電感負(fù)載線圈中電流被切斷時(shí)，則在抑制電路中有瞬態(tài)電流流過，因此就避免了感應(yīng)電壓通過開關(guān)接點(diǎn)放電，也就減小了噪聲，但是要求二*管的反向電壓應(yīng)比可能出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓高。另一個(gè)是額定電流值要符合電路要求。

3.4：電阻電容阻尼電路，利用電容電壓不能突變的特性吸收可控硅換向時(shí)產(chǎn)生的尖峰狀過電壓，把它限制在允許范圍內(nèi)。串接電阻是在可控硅阻斷時(shí)防止電容和電感振蕩，起阻尼作用，另外阻容電路還具有加速可控硅導(dǎo)通的作用。

3.5：另外一種防止或減小噪聲的方法是利用通斷比控制交流調(diào)壓方式，其原理是采用過零觸發(fā)電路，在電源電壓過零時(shí)就控制雙向可控硅導(dǎo)通和截止，即控制角為零，這樣在負(fù)載上得到一個(gè)完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)比通斷周期大的系統(tǒng)，如恒溫器。

20雙向可控硅保護(hù)措施

晶閘管元件的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時(shí)間的過流和過電壓，也可能導(dǎo)致晶閘管的損壞，所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。

1. 過電流保護(hù)

晶閘管出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下幾種：

快速容斷器 快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當(dāng)，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在晶閘管損壞前先溶斷，從而保護(hù)了晶閘管。

過電流繼電器 當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時(shí)，過電流繼電器就會(huì)動(dòng)作，切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間，所以只能用作晶閘管的過載保護(hù)。

過載截止保護(hù) 利用過電流的信號(hào)將晶閘管的觸發(fā)信號(hào)后移，或使晶閘管得導(dǎo)通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護(hù)晶閘管。

2. 過電壓保護(hù)

過電壓可能導(dǎo)致晶閘管的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或晶閘管在導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對(duì)過壓保護(hù)可采用兩種措施

阻容保護(hù) 阻容保護(hù)是電阻和電容串聯(lián)后，接在晶閘管電路中的一種過電壓保護(hù)方式，其實(shí)質(zhì)是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場(chǎng)儲(chǔ)能以及電阻使耗能元件的特性，把過電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存在電場(chǎng)中，并利用電阻把這部分能量消耗掉。

21雙向可控硅參考資料

1.徐長(zhǎng)*, 王峰, 蘇艷巖, 等．雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用：電子產(chǎn)品世界，2008

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