IRF640檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)IRF640檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。做檢測(cè)，上百檢！我們只做真實(shí)檢測(cè)。

檢測(cè)周期

一般3-15個(gè)工作日，可加急。

檢測(cè)方式

可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。

檢測(cè)費(fèi)用

具體根據(jù)IRF640檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。

檢測(cè)產(chǎn)品

0IRF640簡(jiǎn)介

IRF640屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640為設(shè)計(jì)者提供了轉(zhuǎn)換快速、堅(jiān)固耐用、低導(dǎo)通阻抗和高效益的強(qiáng)力組合。TO-220封裝的IRF640普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF640得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2PAK封裝的IRF640適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率較高，導(dǎo)通阻抗較低。IRF640的D2PAK封裝可適應(yīng)高強(qiáng)度電流的應(yīng)用。IRF640的TO-262則適用于低端通孔安裝。

1IRF640基本參數(shù)

IRF640，采用TO-220AB 封裝方式。

晶體管*性:N溝道

漏*電流, Id 較大值:18A

電壓, Vds 較大:200V

開態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm

電壓 @ Rds測(cè)量:10V

電壓, Vgs 較高:4V

封裝類型:TO-220AB

針腳數(shù):3

功率, Pd:150W

封裝類型:TO-220AB

晶體管類型:MOSFET

熱阻, 結(jié)至外殼 A:1°C/W

電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V

電壓, Vds 典型值:200V

電流, Id 連續(xù):18A

電流, Idm 脈沖:72A

表面安裝器件:通孔安裝

閾值電壓, Vgs th 典型值:4V

閾值電壓, Vgs th 較高:4V

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檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。本頁(yè)面價(jià)格僅供參考，不是實(shí)際檢測(cè)費(fèi)用報(bào)價(jià)，實(shí)際報(bào)價(jià)請(qǐng)致電公司咨詢；因?qū)嶋H檢測(cè)服務(wù)涉及到相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和具體項(xiàng)目，故費(fèi)用差異交大，實(shí)際價(jià)格需要根據(jù)客戶需求來確定；服務(wù)說明：檢測(cè)服務(wù)必須以公司抬頭簽訂合同。