霍爾元件檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)霍爾元件檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。做檢測(cè)，上百檢！我們只做真實(shí)檢測(cè)。
檢測(cè)周期
一般3-15個(gè)工作日，可加急。
檢測(cè)方式
可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見(jiàn)證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。
檢測(cè)費(fèi)用
具體根據(jù)霍爾元件檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。
檢測(cè)產(chǎn)品
0霍爾元件簡(jiǎn)介
霍爾元件是一種半導(dǎo)體磁電器件，它是利用霍爾效應(yīng)來(lái)進(jìn)行工作的。早在1879年人們就在金屬中發(fā)現(xiàn)了霍爾效應(yīng)，1910年就有人用鉍制成了霍爾元件，用以測(cè)量磁場(chǎng)。但由于這種效應(yīng)在金屬中十分微弱，當(dāng)時(shí)并沒(méi)有引起什么重視。1948年后，由于半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展，人們找到了霍爾效應(yīng)較為顯著的半導(dǎo)體材料——鍺（Ge），接著，在1958年前后，人們又對(duì)化合物半導(dǎo)體——銻化銦（InSb）、砷化銦（InAs）進(jìn)行了大量的研究，并制成了較為滿意的元件。這時(shí)霍爾效應(yīng)以及它所具有的廣泛的應(yīng)用才受到了人們普遍的重視。
1霍爾元件簡(jiǎn)介
霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的磁傳感器。用它們可以檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化，可在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使用?；魻栐哂性S多優(yōu)點(diǎn)，它們的結(jié)構(gòu)牢固，體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)，安裝方便，功耗小，頻率高（可達(dá)1MHZ），耐震動(dòng)，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。
2霍爾元件材料
霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等。
半導(dǎo)體中電子遷移率（電子定向運(yùn)動(dòng)的平均速度）比空穴遷移率高，因此N型半導(dǎo)體較適合于制造靈敏度高的霍爾元件霍爾元件。
常用的半導(dǎo)體材料N型硅、N型鍺、銻化銦、砷化銦和不同比例亞砷酸銦和磷酸銦組成的In型固溶體等。
其中N型鍺容易加工，其霍爾常數(shù)、溫度性能、輸出線性都較好，應(yīng)用非常普遍銻化銦元件由于在高溫時(shí)霍爾常數(shù)大，所以輸出較大，但對(duì)溫度較敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)溫度系數(shù)大；砷化銦的霍爾常數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出線性好；砷化鎵的溫度特性和輸出線性好，是較理想的材料，但價(jià)格較貴。不同材料適用于不同場(chǎng)合，銻化銦適用于作為敏感元件，鍺和砷化銦霍爾元件適用于測(cè)量指示儀表。
3霍爾元件霍爾元件結(jié)構(gòu)
霍爾元件的外形如下圖所示，它是由霍爾片、4根引線和殼體組成?；魻柶且粔K矩形半導(dǎo)體單晶薄片（一般為4mm×2mm×0.1mm），在它的長(zhǎng)度方向兩端面上焊有a、b兩根引線，稱為控制電流端引線，通常用紅色導(dǎo)線。其焊接處稱為控制電流*（或稱激勵(lì)電流），要求焊接處接觸電阻很小，并呈純電阻，即歐姆接觸（無(wú)PN結(jié)特性）。在薄片的另兩側(cè)端面的中間以點(diǎn)的形式對(duì)稱地焊有c、d兩根霍爾輸出引線，通常用綠色導(dǎo)線。其焊接處稱為霍爾電*，要求歐姆接觸，且電*寬度與基片長(zhǎng)度之比小于0.1，否則影響輸出?；魻栐臍んw上用非導(dǎo)磁金屬、陶瓷或環(huán)氧樹(shù)脂封裝。圖（b）為霍爾元件結(jié)構(gòu)示意圖，圖（c）是霍爾元件符號(hào)。
霍爾元件
目前，較常用的霍爾元件材料是鍺（Ge）、硅（Si）、銻化銦（InSb）、砷化銦（lnAs）和不同比例亞砷酸銦和磷酸銦組成的ln型固熔體等半導(dǎo)體材料。值得一提的是，20世紀(jì)80年代末出現(xiàn)了一種新型霍爾元件——超晶格結(jié)構(gòu)（砷化鋁/砷化鎵）的霍爾器件，它可以用來(lái)測(cè)10-T的微磁場(chǎng)?？梢哉f(shuō)，超晶格霍爾元件是霍爾元件的一個(gè)質(zhì)的飛躍。[3]
4霍爾元件工作原理
霍爾元件應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體。
所謂霍爾效應(yīng)，是指磁場(chǎng)作用于載流金屬導(dǎo)體、半導(dǎo)體中的載流子時(shí)，產(chǎn)生橫向電位差的物理現(xiàn)象。金屬的霍爾效應(yīng)是1879年被美國(guó)物理學(xué)家霍爾發(fā)現(xiàn)的。當(dāng)電流通過(guò)金屬箔片時(shí)，若在垂直于電流的方向施加磁場(chǎng)，則金屬箔片兩側(cè)面會(huì)出現(xiàn)橫向電位差。半導(dǎo)體中的霍爾效應(yīng)比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈*強(qiáng)的霍爾效應(yīng)。
利用霍爾效應(yīng)可以設(shè)計(jì)制成多種傳感器?；魻栯娢徊頤H的基本關(guān)系為：
式中 RH――霍爾系數(shù)；n――單位體積內(nèi)載流子或自由電子的個(gè)數(shù)；q――電子電量；I――通過(guò)的電流；B――垂直于I的磁感應(yīng)強(qiáng)度；d――導(dǎo)體的厚度。
對(duì)于半導(dǎo)體和鐵磁金屬，霍爾系數(shù)表達(dá)式和式（2）不同。
由于通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng)，其大小和導(dǎo)線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測(cè)量出磁場(chǎng)，就可確定導(dǎo)線電流的大小。利用這一原理可以設(shè)計(jì)制成霍爾電流傳感器。其優(yōu)點(diǎn)是不和被測(cè)電路發(fā)生電接觸，不影響被測(cè)電路，不消耗被測(cè)電源的功率，特別適合于大電流傳感。
若把霍爾元件置于電場(chǎng)強(qiáng)度為E、磁場(chǎng)強(qiáng)度為H的電磁場(chǎng)中，則在該元件中將產(chǎn)生電流I，元件上同時(shí)產(chǎn)生的霍爾電位差和電場(chǎng)強(qiáng)度E成正比，如果再測(cè)出該電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，則電磁場(chǎng)的功率密度瞬時(shí)值P可由確定。
利用這種方法可以構(gòu)成霍爾功率傳感器。
如果把霍爾元件集成的開(kāi)關(guān)按預(yù)定位置有規(guī)律地布置在物體上，當(dāng)裝在運(yùn)動(dòng)物體上的永磁體經(jīng)過(guò)它時(shí)，可以從測(cè)量電路上測(cè)得脈沖信號(hào)。根據(jù)脈沖信號(hào)列可以傳感出該運(yùn)動(dòng)物體的位移。若測(cè)出單位時(shí)間內(nèi)發(fā)出的脈沖數(shù)，則可以確定其運(yùn)動(dòng)速度。
5霍爾元件元件特性
1、霍爾系數(shù)RH（又稱霍爾常數(shù)）
在磁場(chǎng)不太強(qiáng)時(shí)，霍爾電勢(shì)差UH與激勵(lì)電流I和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應(yīng)的強(qiáng)弱。 另即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。
2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）
霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。
3、霍爾額定激勵(lì)電流
當(dāng)霍爾元件自身溫升10℃時(shí)所流過(guò)的激勵(lì)電流稱為額定激勵(lì)電流。
4、霍爾較大允許激勵(lì)電流
以霍爾元件允許較大溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流稱為較大允許激勵(lì)電流。
5、霍爾輸入電阻
霍爾激勵(lì)電*間的電阻值稱為輸入電阻。
6、霍爾輸出電阻
霍爾輸出電*間的電阻值稱為輸出電阻。
7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)
在不施加磁場(chǎng)的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，電阻的相對(duì)變化率，用α表示，單位為%/℃。
8、霍爾不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)）
在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為不等位電勢(shì)。
9、霍爾輸出電壓
在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為霍爾輸出電壓。
10、霍爾電壓輸出比率
霍爾不等位電勢(shì)與霍爾輸出電勢(shì)的比率
11、霍爾寄生直流電勢(shì)
在外加磁場(chǎng)為零、霍爾元件用交流激勵(lì)時(shí)，霍爾電*輸出除了交流不等位電勢(shì)外，還有一直流電勢(shì)，稱寄生直流電勢(shì)。
12、霍爾不等位電勢(shì)
在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。
13、霍爾電勢(shì)溫度系數(shù)
在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。它同時(shí)也是霍爾系數(shù)的溫度系數(shù)。
14、熱阻Rth
霍爾元件工作時(shí)功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，
6霍爾元件元件分類
按照霍爾元件的功能可將它們分為： 霍爾線性器件和霍爾開(kāi)關(guān)器件 。前者輸出模擬量，后者輸出數(shù)字量。
按被檢測(cè)的對(duì)象的性質(zhì)可將它們的應(yīng)用分為：直接應(yīng)用和間接應(yīng)用。前者是直接檢測(cè)出受檢測(cè)對(duì)象本身的磁場(chǎng)或磁特性，后者是檢測(cè)受檢對(duì)象上人為設(shè)置的磁場(chǎng)，用這個(gè)磁場(chǎng)來(lái)作被檢測(cè)的信息的載體，通過(guò)它，將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應(yīng)力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉(zhuǎn)數(shù)、轉(zhuǎn)速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時(shí)間等，轉(zhuǎn)變成電量來(lái)進(jìn)行檢測(cè)和控制。
7霍爾元件參考資料
1.上海電子?？茖W(xué)校．霍爾元件及其應(yīng)用：上海人民出版社，1974年04月第1版：第1頁(yè)
2.滕憲斌主編；徐燕銘副主編．船用傳感器技術(shù)與維修：對(duì)外經(jīng)濟(jì)貿(mào)易大學(xué)出版社，2012.02：第99-100頁(yè)
3.李艷紅，李海華，楊玉蓓主編；周勝蘭，李平陳，向詩(shī)瑤副主編．傳感器原理及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)：北京理工大學(xué)出版社，2016.05：第103頁(yè)
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