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檢測項目及執(zhí)行標準一覽表
| 序號 | 檢測標準 | 檢測對象 | 檢測項目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 發(fā)射*—集電*的擊穿電壓<I>V</I><Sub>(BR)ECO</Sub> |
| 2 | 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ2 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 柵*—發(fā)射*的漏電流<I>I</I><Sub>GES</Sub> |
| 3 | 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ6 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 柵*閾電壓<I>V</I><Sub>GE(th)</Sub> |
| 4 | 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 正向跨導<I>g</I><Sub>m</Sub> |
| 5 | 半導體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 集電*—發(fā)射*的擊穿電壓<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> |
| 6 | 半導體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.4 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 集電*—發(fā)射*的飽和電壓<I>V</I><Sub>CEsat</Sub> |
| 7 | 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ3 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 零柵壓時的集電*電流<I>I</I><Sub>CES</Sub> |
| 8 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 關斷期間的各時間間隔和關斷能量 |
| 9 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 反向傳輸電容 |
| 10 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 開通期間的各時間間隔和開通能量 |
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據(jù)絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測項目而定。
檢測報告有效期
一般絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認需求；
2、推薦方案、確認報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進度跟蹤、結果反饋；
5、出具報告、售后服務；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關于《絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機構遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
