檢測(cè)報(bào)告圖片
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檢測(cè)項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)一覽表
| 序號(hào) | 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) | 檢測(cè)對(duì)象 | 檢測(cè)項(xiàng)目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.12 | 晶體三*管 | 三*管上升時(shí)間t<Sub>r</Sub> |
| 2 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.12 | 晶體三*管 | 三*管下降時(shí)間t<Sub>f</Sub> |
| 3 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.12 | 晶體三*管 | 三*管延遲時(shí)間t<Sub>d</Sub> |
| 4 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.12 | 晶體三*管 | 三*管載流子貯存時(shí)間t<Sub>s</Sub> |
| 5 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.2.7IV.2.8 | 晶體三*管 | 共發(fā)射*靜態(tài)電流傳輸比H<Sub>FE</Sub> |
| 6 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.10 | 晶體三*管 | 發(fā)射*--基*擊穿電壓BV<Sub>EBO</Sub> |
| 7 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.2 | 晶體三*管 | 發(fā)射*--基*截止電流I<Sub>EBO</Sub> |
| 8 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.5 | 晶體三*管 | 基*--發(fā)射*飽和電壓V<Sub>BES</Sub> |
| 9 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.10 | 晶體三*管 | 集電*--發(fā)射*擊穿電壓BV<Sub>CEO</Sub> |
| 10 | 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管 GB/T4587-1994 IV.1.3 | 晶體三*管 | 集電*--發(fā)射*截止電流I<Sub>CEO</Sub> |
檢測(cè)時(shí)間周期
一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)晶體三*管檢測(cè)項(xiàng)目而定。
檢測(cè)報(bào)告有效期
一般晶體三*管檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
檢測(cè)流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求；
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià)；
3、郵寄樣品、安排檢測(cè)；
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報(bào)告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《晶體三*管檢測(cè)》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。
