檢測(cè)報(bào)告圖片
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檢測(cè)項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)一覽表
| 序號(hào) | 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) | 檢測(cè)對(duì)象 | 檢測(cè)項(xiàng)目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-1997 4023 | 晶體二*管 | 擊穿電壓V<Sub>BR</Sub> |
| 2 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-1997 4016 | 晶體二*管 | 反向電流I<Sub>R</Sub> |
| 3 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-1997 4011 | 晶體二*管 | 正向電壓V<Sub>F</Sub> |
| 4 | 半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范 GB/T4589.1-2006 4.4.1 | 晶體二*管 | 擊穿電壓<I>V</I><Sub>BR</Sub> |
| 5 | 半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范 GB/T4589.1-2006 4.4.1 | 晶體二*管 | 反向電流<I>I</I><Sub>R</Sub> |
| 6 | 半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范 GB/T4589.1-2006 4.4.1 | 晶體二*管 | 正向電壓<I>V</I><Sub>F</Sub> |
| 7 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 | 晶體二*管 | 反向電流IR |
| 8 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 | 晶體二*管 | 正向電壓VF |
| 9 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 | 晶體二*管 | 擊穿電壓VBR |
檢測(cè)時(shí)間周期
一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)晶體二*管檢測(cè)項(xiàng)目而定。
檢測(cè)報(bào)告有效期
一般晶體二*管檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
檢測(cè)流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求；
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià)；
3、郵寄樣品、安排檢測(cè)；
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報(bào)告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《晶體二*管檢測(cè)》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。
