檢測報告圖片
檢測報告圖片模板
檢測項目及執(zhí)行標準一覽表
| 序號 | 檢測標準 | 檢測對象 | 檢測項目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 溫升和耗散功率 |
| 2 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 約定不熔斷電流 |
| 3 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 約定熔斷電流 |
| 4 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 約定電纜過載保護 |
| 5 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 過載能力驗證 |
| 6 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設備保護用熔斷器 | 額定電流驗證 |
| 7 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.7 | 半導體設備保護用熔斷器 | I2t特性和過電流選擇性驗證 |
| 8 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.7 | 半導體設備保護用熔斷器 | I2t特性和過電流選擇性驗證 |
| 9 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.5 | 半導體設備保護用熔斷器 | 分斷能力驗證 |
| 10 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.5 | 半導體設備保護用熔斷器 | 分斷能力驗證 |
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據(jù)半導體設備保護用熔斷器檢測項目而定。
檢測報告有效期
一般半導體設備保護用熔斷器檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認需求；
2、推薦方案、確認報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進度跟蹤、結果反饋；
5、出具報告、售后服務；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關于《半導體設備保護用熔斷器檢測》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質的檢測機構遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
