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檢測項目
電流容量、工作頻率、電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極*大電流、*大反向電壓、反向電流等。
檢測標準
GB/T4586-1994半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管
GB/T4587-1994半導體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管
GB/T6217-1998半導體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T6218-1996開關用雙極型晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T6219-1998半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T6352-1998半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T6590-1998半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T7576-1998半導體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第一篇高頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T7577-1996低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T9531.4-1988C類瓷件技術條件
GB/T10067.34-2015電熱裝置基本技術條件第34部分:晶體管式高頻感應加熱裝置
GB/T12300-1990功率晶體管安全工作區(qū)測試方法
GB/T12565-1990半導體器件光電子器件分規(guī)范(可供認證用)
GB/T12965-2018硅單晶切割片和研磨片
GB/T15449-1995管殼額定開關用場效應晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T15651.2-2003半導體分立器件和集成電路第5-2部分:光電子器件基本額定值和特性
GB/T15651-1995半導體器件分立器件和集成電路第5部分:光電子器件
GB/T16468-1996靜電感應晶體管系列型譜
GB/T20516-2006半導體器件分立器件第4部分:微波器件
GB/T21039.1-2007半導體器件分立器件第4-1部分:微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規(guī)范
GB/T29332-2012半導體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
GB/T31958-2015薄膜晶體管液晶顯示器用基板玻璃
GB/T34118-2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術語
GB/T35011-2018微波電路壓控振蕩器測試方法
GB/T35702.2-2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器閥損耗第2部分:模塊化多電平換流器
GB/T37403-2019薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)用四甲基氫氧化銨顯影液
GB/T39299-2020液晶面板制造稀釋廢液回收再利用方法
GB51136-2015薄膜晶體管液晶顯示器工廠設計規(guī)范(附條文說明)
GB51432-2020薄膜晶體管顯示器件玻璃基板生產工廠設計標準(附條文說明)
檢測流程步驟
第三方檢測機構平臺
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