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多晶硅第三方檢測CMA/CNAS報(bào)告

檢測報(bào)告圖片

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第三方檢測報(bào)告有效期

一般檢測報(bào)告上會標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測報(bào)告上不會標(biāo)注有效期。

多晶硅檢測測試檢驗(yàn)報(bào)告檢測中心可以為您提供材料成分分析、指標(biāo)檢測、性能測試等服務(wù)。檢測報(bào)告可以提高消費(fèi)者對您產(chǎn)品的信賴。

檢測項(xiàng)目

輻照不穩(wěn)定度、光譜范圍、硅片厚度、總厚度變化、電性能測試誤差、測量電壓、有效測試面積、平整度、局部平整度、翹曲度、類型、電阻率等。

檢測范圍

多晶硅料、多晶硅太陽能板、多晶硅組件、電子級多晶硅、低溫多晶硅、多晶硅電池、光伏多晶硅、多晶硅鑄錠等。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

T/CEMIA018-2019光伏多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝

YS/T724-2016多晶硅用硅粉

YS/T14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法

YS/T1061-2015改良西門子法多晶硅用硅芯

YS/T983-2014多晶硅還原爐和氫化爐尾氣成分的測定方法

T/CNIA0064-2020多晶硅行業(yè)用無塵擦拭布中雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

T/CNIA0060-2020多晶硅用氫氣中磷化氫含量的測定氣相色譜法

GB/T10067.416-2019電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第416部分:多晶硅鑄錠爐

T/CNIA0018-2019多晶硅廠動火受限安全檢測作業(yè)規(guī)范

T/CNIA0017-2019多晶硅用氯硅烷中雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T29055-2019太陽能電池用多晶硅片

GB/T29054-2019太陽能電池用鑄造多晶硅塊

T/CNIA0016-2019多晶硅用回收氫氣中氯化氫、氮?dú)狻⒀鯕?、總碳含量的測定氣相色譜法

T/CNIA0014-2019多晶硅生產(chǎn)用瓷環(huán)

T/CNIA0013-2019多晶硅生產(chǎn)用石墨制品

GB/T4059-2018硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T37051-2018太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

GB/T37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T4060-2018硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T35309-2017用區(qū)熔法和光譜分析法評價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程

檢測流程步驟

檢測流程步驟

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