檢測(cè)報(bào)告圖片

第三方檢測(cè)報(bào)告有效期

一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

靶材檢測(cè)測(cè)試第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)中心可以為您提供材料成分分析、指標(biāo)檢測(cè)、性能測(cè)試等服務(wù)。檢測(cè)報(bào)告可以提高消費(fèi)者對(duì)您產(chǎn)品的信賴(lài)。

檢測(cè)項(xiàng)目

機(jī)械性能、純度、晶粒度、密度、組織均勻性、疲勞試驗(yàn)等。

檢測(cè)范圍

鈦靶材、ITO靶材、金屬靶材、鍍膜靶材、合金靶材、鋁靶材、旋轉(zhuǎn)靶材、銅靶材、陶瓷靶材、半導(dǎo)體靶材等。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

XB/T515-2020鈧鋁合金靶材

YS/T1158.1-2016銅銦鎵硒靶材化學(xué)分析方法第1部分：鎵量和銦量的測(cè)定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

YS/T1156-2016銅銦鎵硒靶材

YS/T937-2013鎳鉑靶材

YS/T936-2013集成電路器件用鎳釩合金靶材

YS/T935-2013電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南

YS/T893-2013電子薄膜用高純鈦濺射靶材

YS/T837-2012濺射靶材-背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T826-2012五氧化二鈮靶材

YS/T819-2012電子薄膜用高純銅濺射靶材

YS/T719-2009平面磁控濺射靶材光學(xué)薄膜用硅靶

YS/T718-2009平面磁控濺射靶材光學(xué)薄膜用鈮靶

YS/T1235-2018鉬鈦合金(MoTi)靶材

YS/T1234-2018鉻鉬合金(CrMo)靶材

T/NXCL004-2021旋轉(zhuǎn)硅靶材

T/NXCL003-2021平面硅鍺靶材

T/CSRE19001-2020金屬鐿靶材

GB/T23611-2009金靶材

T/ZZB0639-2018氧化鋅鋁磁控濺射靶材

DB45/T2109-2019銅銦鎵硒太陽(yáng)能光伏電池靶材中硒含量的測(cè)定容量法

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上關(guān)于《靶材檢測(cè)檢驗(yàn)CMA/CNAS報(bào)告》內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢(xún)客服。