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硅單晶電阻率測定檢測報(bào)告

檢測報(bào)告圖片

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第三方檢測報(bào)告有效期

一般檢測報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

硅單晶電阻率測試找什么單位做?檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?

檢測項(xiàng)目:

電阻率、轉(zhuǎn)換效率、元素分析等。

適用范圍

太陽能電池用硅單晶、多晶硅等。

相關(guān)檢測標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 12632-1990 單晶硅太陽電池總規(guī)范

DB1310/T 227—2020 電子專用材料單晶硅生長用石英坩堝工藝技術(shù)規(guī)范

DB13/T 5092-2019 太陽能級(jí)類單晶硅錠用 方籽晶通用技術(shù)要求

GJB 1431A-2014 空間用單晶硅太陽電池通用規(guī)范

DB61/T 511-2011 太陽電池用單晶硅棒檢驗(yàn)規(guī)則

DB13/T 1314-2010 太陽能級(jí)單晶硅方棒、單晶硅片

GOST R 8.592-2009 國家測量統(tǒng)一性保證體系.單晶硅納米級(jí)救濟(jì)措施.幾何形狀,線性尺寸規(guī)格及制造材料要求

KS D 2715-2006 單晶硅和多晶硅納米/微薄膜拉伸的試樣

SJ/T 10173-1991 TDA75單晶硅太陽電池

DIN 45940-1132-1989 電子元件質(zhì)量評(píng)估協(xié)調(diào)體系.空白詳細(xì)規(guī)范.第1132部分:MOS 讀/寫動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置單晶硅電路

相關(guān)介紹

單晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。

檢測流程步驟

檢測流程步驟

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