SJ 20060-1992《半導體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細規(guī)范》基本信息

標準號：

SJ 20060-1992

中文名稱：

《半導體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細規(guī)范》

發(fā)布日期：

1992-11-19

實施日期：

1993-05-01

發(fā)布部門：

中國電子工業(yè)總公司

提出單位：

中國電子工業(yè)總公司科技質量局

歸口單位：

中國電子技術標準化研究所

起草單位：

中國電子技術標準化研究所和石家莊無線電二廠

起草人：

王長福、王承琳、謝佩蘭

中國標準分類號：

A01技術管理

SJ 20060-1992《半導體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細規(guī)范》介紹

SJ 20060-1992《半導體分立器件 3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管詳細規(guī)范》是中國電子工業(yè)總公司于1992年11月19日發(fā)布的一項標準，自1993年5月1日起實施。

一、技術要求

1、晶體管的型號、外形和尺寸應符合標準規(guī)定，且應有清晰的型號標識。

2、晶體管的電性能參數(shù)應滿足標準規(guī)定的要求，包括集電極-基極電壓、集電極電流、基極電流、電流放大系數(shù)等。

3、晶體管的機械性能應滿足標準規(guī)定的要求，包括引線強度、引線長度、引腳間距等。

4、晶體管的熱性能應滿足標準規(guī)定的要求，包括結溫、散熱能力等。

二、測試方法

1、電性能參數(shù)測試：采用相應的測試儀器和設備，按照標準規(guī)定的測試條件和方法進行測試。

2、機械性能測試：采用相應的測試儀器和設備，按照標準規(guī)定的測試條件和方法進行測試。

3、熱性能測試：采用相應的測試儀器和設備，按照標準規(guī)定的測試條件和方法進行測試。

三、檢驗規(guī)則

1、檢驗分類：包括型式檢驗和出廠檢驗。

2、型式檢驗：在產品研制、改進或工藝變更后，應進行型式檢驗，以驗證產品是否符合標準要求。

3、出廠檢驗：每批產品出廠前應進行出廠檢驗，以確保產品質量。

四、標志、包裝、運輸和儲存

1、標志：產品應有清晰的型號標識、生產批號、生產日期等信息。

2、包裝：產品應采用適當?shù)陌b材料和包裝方式，以保護產品在運輸和儲存過程中不受損壞。

3、運輸：產品在運輸過程中應避免受到劇烈震動、高溫、潮濕等不良影響。

4、儲存：產品應儲存在干燥、通風、無腐蝕性氣體的環(huán)境中，避免受潮、受熱、受壓等不良影響。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。