SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：

SJ/T 11491-2015

中文名稱：

《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》

發(fā)布日期：

2015-04-30

實(shí)施日期：

2015-10-01

發(fā)布部門：

中華人民共和國工業(yè)和信息化部

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》介紹

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》是由中華人民共和國工業(yè)和信息化部于2015年4月30日發(fā)布，并于同年10月1日起正式實(shí)施的一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)。

一、標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

SJ/T 11491-2015標(biāo)準(zhǔn)適用于采用短基線紅外吸收光譜法測量半導(dǎo)體級多晶硅、單晶硅和硅片中間隙氧含量。該標(biāo)準(zhǔn)不適用于其他類型的硅材料。

二、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容

1、術(shù)語和定義

標(biāo)準(zhǔn)*先對“間隙氧”、“紅外吸收光譜法”、“短基線紅外吸收光譜法”等術(shù)語進(jìn)行了明確的定義，為后續(xù)的測量方法和結(jié)果解讀提供了基礎(chǔ)。

2、原理

短基線紅外吸收光譜法是一種基于硅中間隙氧對紅外光的吸收特性來測量硅中間隙氧含量的方法。標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)闡述了該方法的原理，包括紅外光的吸收、反射和透射等現(xiàn)象。

3、儀器設(shè)備

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測量硅中間隙氧含量所需的儀器設(shè)備，包括紅外光譜儀、樣品制備設(shè)備等，并對其性能要求進(jìn)行了明確。

4、樣品制備

樣品制備是測量硅中間隙氧含量的關(guān)鍵步驟。標(biāo)準(zhǔn)對樣品的切割、拋光、清洗等過程進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定，以確保樣品的質(zhì)量和測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。

5、測量方法

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了短基線紅外吸收光譜法的測量步驟，包括樣品的固定、紅外光的照射、吸收光譜的記錄等，并對測量過程中可能出現(xiàn)的問題進(jìn)行了分析和解決方案的提供。

6、結(jié)果計(jì)算

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中間隙氧含量的計(jì)算方法，包括吸收峰的識別、定量分析等，并提供了計(jì)算公式和示例。

7、精密度和準(zhǔn)確度

標(biāo)準(zhǔn)對測量結(jié)果的精密度和準(zhǔn)確度進(jìn)行了規(guī)定，包括重復(fù)性、再現(xiàn)性等指標(biāo)，并提供了相應(yīng)的測試方法和評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。

三、標(biāo)準(zhǔn)的意義

1、提高硅材料質(zhì)量

通過規(guī)范硅中間隙氧含量的測量方法，可以更準(zhǔn)確地評估硅材料的性能，從而提高硅材料的整體質(zhì)量。

2、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級

標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施有助于推動硅材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級，提高硅材料的附加值。

3、保障消費(fèi)者權(quán)益

準(zhǔn)確的硅中間隙氧含量測量結(jié)果，有助于消費(fèi)者更好地了解硅材料的性能，保障消費(fèi)者的合法權(quán)益。

4、推動國際合作

SJ/T 11491-2015標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，有助于推動我國硅材料產(chǎn)業(yè)的國際合作和交流。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。