SJ 50033/126-1997《半導體分立器件2DK13型硅肖特基開關整流二極管詳細規(guī)范》基本信息

標準號：

SJ 50033/126-1997

中文名稱：

《半導體分立器件2DK13型硅肖特基開關整流二極管詳細規(guī)范》

發(fā)布日期：

1997-06-17

實施日期：

1997-10-01

發(fā)布部門：

電子工業(yè)部

提出單位：

電子工業(yè)部

歸口單位：

中國電子技術標準化研究所

起草單位：

濟南半導體元件實驗室

起草人：

朱志光、賈惠蓉

中國標準分類號：

L5961

SJ 50033/126-1997《半導體分立器件2DK13型硅肖特基開關整流二極管詳細規(guī)范》介紹

SJ 50033/126-1997《半導體分立器件2DK13型硅肖特基開關整流二極管詳細規(guī)范》是由電子工業(yè)部發(fā)布的一項標準，于1997年6月17日正式發(fā)布，并于同年10月1日正式實施。

一、產品概述

2DK13型硅肖特基開關整流二極管是一種半導體器件，主要用于整流、開關等電路中。其具有體積小、重量輕、功耗低、響應速度快等優(yōu)點，在電子設備中得到了廣泛的應用。

二、性能指標

1、較大整流電流：標準規(guī)定，2DK13型硅肖特基開關整流二極管的較大整流電流應不小于30A。

2、反向擊穿電壓：標準規(guī)定，2DK13型硅肖特基開關整流二極管的反向擊穿電壓應不小于1000V。

3、正向壓降：標準規(guī)定，在較大整流電流下，2DK13型硅肖特基開關整流二極管的正向壓降應不大于1.1V。

4、反向恢復時間：標準規(guī)定，2DK13型硅肖特基開關整流二極管的反向恢復時間應不大于50ns。

三、測試方法

1、外觀檢查：對產品的外觀進行目視檢查，確保產品表面無明顯缺陷。

2、電性能測試：對產品的電性能指標進行測試，包括較大整流電流、反向擊穿電壓、正向壓降、反向恢復時間等。

3、溫度特性測試：對產品在不同溫度下的性能進行測試，以評估其溫度穩(wěn)定性。

4、耐久性測試：對產品進行長時間的工作測試，以評估其耐久性。

四、質量要求

1、產品應符合標準規(guī)定的性能指標要求。

2、產品的外觀應無明顯缺陷，符合標準規(guī)定的要求。

3、產品在規(guī)定的測試條件下，應表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和耐久性。

4、產品的生產過程應符合國家有關質量管理體系的要求。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。