GB/T 12962-2015是中國國家標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于硅單晶的規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)主要包含了硅單晶的定義、術(shù)語、規(guī)格以及物理、化學(xué)、機(jī)械性能等方面的要求。以下是該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定的內(nèi)容：

1. 硅單晶的定義和術(shù)語：

硅單晶：指不同類型和尺寸的純度較高的硅晶體。摻雜濃度：硅單晶中摻雜雜質(zhì)的含量。犧牲層：在硅單晶制備過程中為減小硅單晶的厚度而生長的一層硅片。唯一晶向：硅單晶中只存在一個(gè)晶體取向。

2. 硅單晶的規(guī)格：

尺寸：硅單晶的直徑、長度、寬度等尺寸的要求。表面狀態(tài)：硅單晶表面的平整度、光潔度、無缺陷程度的要求。彎曲度：硅單晶桿的彎曲度要求。

3. 硅單晶的物理性能：

晶格常數(shù)：硅單晶的晶格常數(shù)和變化范圍。密度：硅單晶的密度和變化范圍。熱膨脹系數(shù)：硅單晶的熱膨脹系數(shù)和變化范圍。硬度：硅單晶的硬度和變化范圍。

4. 硅單晶的化學(xué)性質(zhì)：

電阻率：硅單晶的電阻率和變化范圍。雜質(zhì)含量：硅單晶中各種雜質(zhì)的約束要求。水溶性雜質(zhì)：硅單晶中水溶性雜質(zhì)的限制及要求。氣體雜質(zhì)：硅單晶中氣體雜質(zhì)的限制及要求?；瘜W(xué)穩(wěn)定性：硅單晶對(duì)酸、堿等化學(xué)物質(zhì)的穩(wěn)定性要求。

5. 硅單晶的機(jī)械性能：

抗拉強(qiáng)度：硅單晶在拉伸條件下的抗拉強(qiáng)度和變化范圍?？箟簭?qiáng)度：硅單晶在壓縮條件下的抗壓強(qiáng)度和變化范圍。彈性模量：硅單晶的彈性模量和變化范圍。

標(biāo)準(zhǔn)還包括了硅單晶的制備方法、加工工藝、檢測(cè)方法等方面的技術(shù)要求。GB/T 12962-2015旨在規(guī)范硅單晶產(chǎn)品的制備和使用，保證其質(zhì)量和性能的穩(wěn)定性，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。