本文主要列舉了關(guān)于場效應(yīng)晶體管的相關(guān)檢測標(biāo)準(zhǔn)，檢測標(biāo)準(zhǔn)僅供參考，如果您想了解自己的樣品需要哪些檢測標(biāo)準(zhǔn)，可以咨詢我們。
QJ 2617-1994：微波場效應(yīng)晶體管(微波FET)管殼驗(yàn)收規(guī)范
GB/T 15449-1995：管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
SJ 20789-2000：MOS場效應(yīng)晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗(yàn)方法
GB/T 4586-1994：半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管
SJ 20184-1992：半導(dǎo)體分立器件 CS3821、3822、3823型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
GB/T 6219-1998：半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 第一篇 1GHｚ、5W以下的單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
JJG (電子) 04049-1995：國洋雙柵場效應(yīng)晶體管CX測試儀試行檢定規(guī)程
SJ 50033/42-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS0467型砷化鎵微波場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/78-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ０４６４型砷化鎵微波場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
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SJ 50033.52-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS0529型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/81-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ０５２４型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/120-1997：半導(dǎo)體分立器件 CS205型砷化鎵微波功率 場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11824-2022：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等效電容和電壓變化率測試方法
SJ 50033.54-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS0532型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/80-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ０５１３型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20061-1992：半導(dǎo)體分立器件 CS146型硅N溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/119-1997：半導(dǎo)體分立器件 CS204型砷化鎵微波功率 場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033.51-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS0558型砷化鎵微波雙柵場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/85-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/84-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ溝道ＭＯＳ耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
GB/T 21039.1-2007：半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分:微波二極管和晶體管 微波場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/121-1997：半導(dǎo)體分立器件CS3458-CS3460型硅N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/106-1996：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ２０３型砷化鎵微波低噪聲場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/83-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ溝道ＭＯＳ增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/122-1997：半導(dǎo)體分立器件CS3684-CS3687型硅N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20013-1992：半導(dǎo)體分立器件 GP,GT和GCT級 CS10型硅N溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管
SJ 50033/38-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS4856～CS4861型硅N溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/87-1995：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033.53-1994：半導(dǎo)體分立器件 CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
檢測流程步驟
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