EMC輻射發(fā)射測(cè)試目的

EMC輻射發(fā)射測(cè)試用來鑒定其輻射是否符合標(biāo)準(zhǔn)的要求，以致在正 常使用過程中影響同一環(huán)境中的其他設(shè)備。主要測(cè)試電場(chǎng)輻射、磁場(chǎng)輻射和騷擾功率。

EMC輻射發(fā)射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

GB/T17626.3：2006《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度》

IEC1000-4《交流信號(hào)傳導(dǎo)和輻射干擾的影響》

電場(chǎng)輻射：CISPR22，CISPR13，CISPR11，CISPR14-1，CISPR15（特定類別的玩具）等；

磁場(chǎng)輻射：CISPR15（工作電流頻率超過100Hz的燈具），CISPR11（電磁爐）等；

騷擾功率：CISPR14-1（工作頻率不超過9kHz的一部分設(shè)備除外），CISPR13（只對(duì)輔助設(shè)備）等。

EMC輻射發(fā)射測(cè)試設(shè)備

EMI自動(dòng)測(cè)試控制系統(tǒng)(電腦及其界面單元)；EMI測(cè)試接收機(jī)；各式天線(主動(dòng)、被動(dòng)棒狀天線、大小形狀環(huán)路天線、功率雙錐天線、對(duì)數(shù)螺旋 天線、喇叭天線)及天線控制單元等；半電波暗室或開闊場(chǎng)。

場(chǎng)地要求：開闊場(chǎng)是專業(yè)輻射騷擾測(cè)試場(chǎng)地，滿足標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于測(cè)試距離的要求，在標(biāo)準(zhǔn)要求的測(cè)試 范圍內(nèi)（無障礙區(qū)）沒有與測(cè)試無關(guān)的架空走線、建筑物、反射物體，而且應(yīng)該避開地下 電纜，必要時(shí)應(yīng)該有氣候保護(hù)罩。該場(chǎng)地滿足CISPR16. ANSI63.4. EN50147-2關(guān)于場(chǎng) 地衰減的要求。半電波暗室是模擬開闊場(chǎng)的一個(gè)空間，除地面安裝反射平面外，其余五個(gè) 內(nèi)表面均安裝吸波材料的屏蔽室。該場(chǎng)地也滿足CISPR16. ANSI63.4、EN50147-2關(guān)于場(chǎng)地衰減的要求?？刂茊卧獌H僅是為了測(cè)試中各個(gè)設(shè)備之間的協(xié)調(diào)動(dòng)作，自動(dòng)完成輻射發(fā)射測(cè)試。

輻射發(fā)射測(cè)試要求

1、輻射發(fā)射測(cè)試 時(shí)，被測(cè)設(shè)備（EUT）置于半電波暗室內(nèi)部，并在轉(zhuǎn)臺(tái)上旋轉(zhuǎn)，以找到*大的輻射點(diǎn)。

2、互連I/O線纜距離地面不應(yīng)小于40 cm;

3、除了實(shí)際負(fù)載連接外，被測(cè)設(shè)備還可以接模擬負(fù)載，但是模擬負(fù)載應(yīng)符合阻抗關(guān) 系，同時(shí)還要代表干擾的實(shí)際情況。

4、被測(cè)設(shè)備與輔助設(shè)備AE電源線直接插入地面的插座，而不應(yīng)將插座延長；

5、被測(cè)設(shè)備同輔助設(shè)備AE間距為10 cm;

6、被測(cè)設(shè)備本身的控制器件(鍵盤等)應(yīng)按照通常使用時(shí)的情況設(shè)置；

7、如果被測(cè)設(shè)備本身的線纜比較多，應(yīng)仔細(xì)理順，分別處理，并且在測(cè)試報(bào)告中記錄，以獲得再次測(cè)試的重復(fù)性。

8、測(cè)試布局仍然是測(cè)試中*需要的環(huán)節(jié)。此外，由于高頻測(cè)試、場(chǎng)地、設(shè)備等都是影響*終結(jié)果的重要因素。

9、輻射發(fā)射試驗(yàn)范圍為30mHz-18.5gHz。

測(cè)試判定

電場(chǎng)輻射、磁場(chǎng)輻射和騷擾功率的限值線必須在規(guī)定范圍內(nèi)，低于PASS，高于FAIL。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。