GB/T 38621-2020.Transient thermal test method for light emitting diode modules.
1范圍
GB/T 38621規(guī)定了由單個(gè)、多個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片或器件組成的LED模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法原理、一般要求、測(cè)試步驟、結(jié)果分析及計(jì)算、測(cè)試報(bào)告。
GB/T 38621適用于單個(gè)、多個(gè)LED芯片或器件封裝而成的模塊,以及LED芯片或器件和其他微電子器件構(gòu)成的模塊熱特性測(cè)量。其他多芯片或器件封裝而成的模塊熱特性測(cè)量也可參考。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
SJ/T 11394-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè) 試方法
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
發(fā)光二極管模塊 light emitting diode module
LED模塊 LED module
一個(gè)或多個(gè)LED芯片或器件組成的發(fā)光單元。
注:可包括提高其光、機(jī)、電、熱等特性的其他元器件，但是并不包括電子控制裝置。
3.2
結(jié)溫 junction temperature
模塊中主要發(fā)熱部分的半導(dǎo)體p-n結(jié)的溫度。
3.3
基板溫度 base temperature
模塊功率集中區(qū)對(duì)應(yīng)的焊盤點(diǎn)或由制造商指定的測(cè)量點(diǎn)的溫度。
3.4
熱功率 heat power
LED模塊處于工作狀態(tài)下,由所提供電總功率減去光輻射功率所得的熱損耗功率。
3.5
熱阻 thermal resistance
沿?zé)崃魍ǖ郎系臏囟炔钆c通道上耗散的熱功率之比。
3.6
結(jié)-基板熱阻 thermal resistance from junction-to-base
p-n結(jié)到基板之間的熱阻。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。