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GB/T39865-2021單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法

檢測(cè)報(bào)告圖片樣例

GB/T 39865-2021.Method for measuring refractive index of uniaxial optical crystals.
1范圍
GB/T 39865規(guī)定了單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法的環(huán)境要求測(cè)量原理與方法、檢測(cè)儀器要求、待測(cè)量樣品準(zhǔn)備、測(cè)量步驟、數(shù)據(jù)處理和不確定度評(píng)定。
GB/T 39865適用于單軸晶光學(xué)晶體的折射率測(cè)量,其他光學(xué)晶體的折射率測(cè)量可參照?qǐng)?zhí)行。
2測(cè)量環(huán)境要求
測(cè)量環(huán)境要求如下:
a) 溫度:21℃士3℃ ,測(cè)量過程中溫度變化不大于0.5℃;
b) 相對(duì)濕度:不大于30%;
c)振動(dòng):滿足設(shè)備對(duì)環(huán)境的振動(dòng)要求。
4儀器要求
4.1所采用的儀 器為折射率測(cè)量?jī)x。
4.2折射率測(cè)量?jī)x光源的要求:波長(zhǎng)范圍滿足晶體折射率測(cè)量要求。
5樣品
5.1 晶體樣品需加工成直角棱鏡,樣品示意圖如圖2所示。
5.2 待測(cè)樣品頂角θ應(yīng)保證入射光在出射面abef不發(fā)生全反射, 范圍宜10°~35°。
5.3直角面abcd和斜面abef分別為拋光的人射面abcd和出射面abef,尺寸為10mmX10mm~20mmX20mm,且應(yīng)保證晶體直角面abcd以及斜面abef與底面adf垂直。人射面abcd和出射面abef為拋光面,面形應(yīng)優(yōu)于0.2入(入=632.8nm),其他表面為毛面。
5.4待測(cè)樣 品選擇晶體光軸垂直或平行于棱鏡直角邊,光軸與人射面abcd法線夾角90°士5'。
5.5待測(cè)樣品置于測(cè)量環(huán)境中2h~5h以上。
5.6待測(cè)樣品表面不應(yīng)有污漬、擦痕。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

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