GB/T 40007-2021.Nanotechnology—Contacting methods for measuring the resistivity of nanomaterials—General rules.
1范圍
GB/T 40007規(guī)定了納米材料電阻率的接觸式測(cè)量方法﹐包括測(cè)量原理、儀器設(shè)備、測(cè)量條件、測(cè)量步驟、影響因素等。
GB/T 40007中靜態(tài)四探針?lè)?A法)適用于納米薄膜、納米漿料和納米粉體的電阻率測(cè)量;動(dòng)態(tài)四探針?lè)?B法)、動(dòng)態(tài)四線兩電極法(C法)適用于納米粉體電阻率的測(cè)量。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件.
GB/T 32269納米科技納米物體的術(shù)語(yǔ)和定義瞭納米顆粒﹑納米纖維和納米片
3術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T 32269界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
納米材料 nanomaterial
任一外部維度﹑內(nèi)部或表面結(jié)構(gòu)處于納米尺度的材料。
[GB/T 30544.1-2014,定義2.4]
3.2
電阻率 resistivityp
材料內(nèi)部的電流電場(chǎng)強(qiáng)度和穩(wěn)態(tài)電流密度之比,即單位體積內(nèi)的體積電阻。
3.3
靜態(tài)四探針?lè)?static four probe method
納米粉體材料預(yù)壓成型,用四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量成型試樣過(guò)程中,由于無(wú)持續(xù)施壓,待測(cè)成型試樣的壓實(shí)密度保持靜止不變,測(cè)量該壓實(shí)密度下的電阻率的方法。
3.4
動(dòng)態(tài)四探針?lè)?dynamic four probe method
納米粉體材料不需預(yù)壓成型,用四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量過(guò)程中,由于持續(xù)加壓,待測(cè)樣的壓實(shí)密度不斷變化,測(cè)量待測(cè)樣在不同壓實(shí)密度下的電阻率的方法。

檢測(cè)流程步驟

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