檢測報告圖片
四探針電阻率檢測有哪些參考依據(jù)?檢測標(biāo)準(zhǔn)有哪些?費用是多少?百檢檢測可依據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗方案。對導(dǎo)電陶瓷薄膜、硅晶體、硅晶片等樣品進(jìn)行檢測分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的檢測報告。
項目簡介
四探針檢測技術(shù)，簡稱為四探針法，是測量半導(dǎo)體電阻率*常用的一種方法;
四探針檢測技術(shù)，是用4根等間距配置的探針扎在半導(dǎo)體表面上，由恒流源給外側(cè)的兩根探針提供一個適當(dāng)小的電流I，然后測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導(dǎo)體的電阻率。對于厚度為W(遠(yuǎn)小于長和寬)的薄半導(dǎo)體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數(shù)。
適用樣品
鍺單晶、導(dǎo)電陶瓷薄膜、硅晶體、硅晶片、硅棒、硅外延層、半導(dǎo)體材料等。
粉體提供3-5g，壓片檢測，至少保證壓實后體積不小于1cm3;薄膜，提供準(zhǔn)確膜厚，厚度均勻;塊體上下平行，*好拋光處理;厚度務(wù)必在 50μm至3mm之間，不得超過3mm，長寬*佳尺寸：10mm×10mm以上。
相關(guān)參考標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
KS L 1619-2013(2018) 四探針陣列導(dǎo)電陶瓷薄膜電阻率檢測方法
KS C 0256-2002(2017) 具有四點探針的硅晶體和硅晶片的電阻率檢測方法
KS C 0256-2002(2022) 硅晶體和硅片電阻率的四點探針檢測方法
ASTM F672-88(1995)e1 用擴(kuò)展電阻探針測量垂直于硅片表面電阻率分布的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
ASTM F397-93(1999) 用兩點探針測定硅棒電阻率的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
JIS R1637-1998 用四點探針排列法測定傳導(dǎo)精細(xì)陶瓷薄膜電阻率的試驗方法
SJ/T 10481-1994 硅外延層電阻率的面接觸三探針.檢測方法
SJ/T 10314-1992 直流四探針電阻率檢測儀通用技術(shù)條件
KS D 0260-1989(1994) 具有四點探針的單晶硅片的電阻率檢測方法
DIN 50431-1988 半導(dǎo)體材料的試驗.用探針直線排列的四探針/直流法測量單晶硅或鍺單晶體的電阻率
辦理檢測報告的目的
1、評定產(chǎn)品質(zhì)量的好壞;
2、判斷產(chǎn)品質(zhì)量等級，即缺陷嚴(yán)重程度;
3、對工藝流程進(jìn)行檢驗和工序質(zhì)量的監(jiān)督;
4.對質(zhì)量數(shù)據(jù)進(jìn)行搜集統(tǒng)計與分析，以便為質(zhì)量改進(jìn)與質(zhì)量管理活動的開展奠定基礎(chǔ);
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據(jù)四探針電阻率檢測檢驗認(rèn)證測試項目而定。
檢測報告有效期
一般四探針電阻率檢測檢驗認(rèn)證測試報告上會標(biāo)注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標(biāo)注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求；
2、推薦方案、確認(rèn)報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《四探針電阻率檢測檢驗認(rèn)證測試》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機(jī)構(gòu)遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
