項(xiàng)目介紹

芯片開(kāi)封測(cè)試也就是給芯片做外科手術(shù)，通過(guò)開(kāi)封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開(kāi)封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。

開(kāi)封的含義：Decap即開(kāi)封，也稱開(kāi)蓋，開(kāi)帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來(lái)，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測(cè)試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。

適用范圍

模擬集成芯片、數(shù)字集成芯片、混合信號(hào)集成芯片、雙*芯片和CMOS芯片、信號(hào)處理芯片、功率芯片、直插芯片、表面貼裝芯片、航天級(jí)芯片，汽車(chē)級(jí)芯片，工業(yè)級(jí)芯片、商業(yè)級(jí)芯片等。

開(kāi)封的方法

一般的有化學(xué)(Chemical)開(kāi)封、機(jī)械(Mechanical)開(kāi)封、激光(Laser)開(kāi)封、PlasmaDecap?

開(kāi)封實(shí)驗(yàn)室：Decap實(shí)驗(yàn)室可以處理幾乎所有的IC封裝形式（COB.QFP.DIPSOT等）、打線類(lèi)型（AuCuAg）。高分子的樹(shù)脂體在熱的濃硝酸（98%）或濃硫酸作用下，被腐蝕變成易溶于丙酮的低分子化合物，在超聲作用下，低分子化合物被清洗掉，從而露出芯片表層。

開(kāi)封方法一：在加熱板上加熱，溫度要達(dá)100-150度，將芯片正面方向向上，用吸管吸取少量的發(fā)煙硝酸（濃度>98%）。滴在產(chǎn)品表面，這時(shí)樹(shù)脂表面起化學(xué)反應(yīng)，且冒出氣泡，待反應(yīng)稍止再滴，這樣連滴5-10滴后，用鑷子夾住，放入盛有丙酮的燒杯中，在超聲波清洗機(jī)中清洗2-5分鐘后，取出再滴，如此反復(fù)，直到露出芯片為止，后必須以干凈的丙酮反復(fù)清洗確保芯片表面無(wú)殘留物。

開(kāi)封方法二：將所有產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對(duì)于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點(diǎn)是操作較危險(xiǎn)。要掌握要領(lǐng)。

開(kāi)封注意點(diǎn)：所有一切操作均應(yīng)在通風(fēng)柜中進(jìn)行，且要戴好防酸手套。產(chǎn)品開(kāi)帽越到后越要少滴酸，勤清洗，以避免過(guò)腐蝕。清洗過(guò)程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面，以免擦傷芯片和金絲。根據(jù)產(chǎn)品或分析要求有的開(kāi)帽后要露出芯片下面的導(dǎo)電膠，或者第二點(diǎn)。另外，有的情況下要將已開(kāi)帽產(chǎn)品按排重測(cè)。此時(shí)應(yīng)*先放在80倍顯微鏡下觀察芯片上金絲是否斷，塌絲，如無(wú)則用刀片刮去管腳上黑膜后送測(cè)。注意控制開(kāi)帽溫度不要太高。

測(cè)試項(xiàng)目

1.?IC開(kāi)封（正面/背面）QFP、QFN、SOT、TO、DIP、BGA、COB等

2.?樣品減?。ㄌ沾桑饘俪猓?/p>

3.?激光打標(biāo)

開(kāi)封會(huì)用的危險(xiǎn)的化學(xué)試劑，建議經(jīng)驗(yàn)不足的人不要輕易嘗試，可以去有資質(zhì)的第三方實(shí)驗(yàn)室。

分析中常用酸：濃硫酸：這里指98%的濃硫酸,它有強(qiáng)烈的脫水性,吸水性和氧化性。開(kāi)帽時(shí)用來(lái)一次性煮大量的產(chǎn)品，這里利用了它的脫水性和強(qiáng)氧化性。濃鹽酸：指37%（V/V）的鹽酸，有強(qiáng)烈的揮發(fā)性，氧化性。分析中用來(lái)去除芯片上的鋁層。發(fā)煙硝酸：指濃度為98%（V/V）的硝酸。用來(lái)開(kāi)帽。有強(qiáng)烈的揮發(fā)性，氧化性，因溶有NO2而呈紅褐色。王水：指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來(lái)腐蝕金球，因它腐蝕性很強(qiáng)，可腐蝕金。

參考標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37720-2019識(shí)別卡金融IC卡芯片技術(shù)要求

?GB/T37045-2018信息技術(shù)生物特征識(shí)別指紋處理芯片技術(shù)要求?

GB/T4937.19-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分：芯片剪切強(qiáng)度?

GB/T36613-2018發(fā)光二*管芯片點(diǎn)測(cè)方法?

GB/T36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二*管芯片技術(shù)規(guī)范?

GB/T33922-2017MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級(jí)試驗(yàn)方法?

GB/T33752-2017微陣列芯片用醛基基片?

GB/T28856-2012硅壓阻式壓力敏感芯片?

DB35/T1403-2013照明用多芯片集成封裝LED筒燈?

EIAEIA-763-2002自動(dòng)裝配用裸芯片和芯片級(jí)封裝,使用8mm和12mm載體帶捆扎?

DLADSCC-DWG-01002REVE-20022512型1.5瓦特(MELF)單位陶瓷封裝膠卷芯片固定電阻器

檢測(cè)流程步驟

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